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640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm/1100nm-1900nm/1200nm-2200nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
產品時間:2025-02-11
訪問量:936

LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器


640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

西安立鼎光電科技有限公司提供高品質InGaAs短波探測器,產品從點元探測器到面陣探測器,質量可靠,價格合理,得到世界客戶的廣泛認可和應用。

InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上包括非制冷型(無TEC)和制冷型(TEC)型。產品應用穩定成熟的工藝,并已實現量產。該產品選用常規封裝,便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備;集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度,并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。

產品型號

InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。

型號

FPA0640P15F-17-C

FPA0640P15F-17-T1/T2

FPA0640P15F-1.9-T2

FPA0640P15F-2.2-T2

FPA-640×512-K

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

響應波段

0.9um-1.7um

0.6um-1.7um

0.9um-1.7um

1.1–1.9 um

1.2um-2.2um

0.9um-1.7um

圖像分辨率

640×512

640×512

640×512

640×512

640×512

像元尺寸

15um

15um

15um

15um

25um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

16mm×12.8mm

封裝

64-pin CLCC

28-pin SDIP Package

28-pin SDIP Package

28-pin Metal

SDIP Package

28-pin MDIP

重量

1.7g

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

24.6g/24.467g

有效像元率

>99.5%

>99.5%

>99%

98%

>99%

暗電流

≤30fA

≤20fA

≤100 fA

≤25fA

≤0.2pA

量子效率

≥70%

≥70%

≥ 70%

60%

≥70%

響應非均勻性

≤2%

≤2%

≤4%

≤4%

≤2%

非線性(最大偏差)

≤5%

≤5%

≤10%

≤10%

≤10%

增益

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High: 46.2 uV/e –

Low:1.39uV/e-

High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-

High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-

滿阱容量

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me-

Low:1.38Me-

High:0.019Me- Low:1.440Me-

High:0.118Me- Low:1.9Me-

TEC制冷

非制冷

TE1/TE2/非制冷

TE2

TE2

TE1/TE2

工作溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-20℃—+85℃

儲存溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+80℃

-40℃—+70℃

-40℃—+85℃

功耗

200mw

200mw**

200mw  

200mw    

325mw**

注:**不帶制冷




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